目前半導(dǎo)體工藝已經(jīng)發(fā)展到了5nm，明年三星臺(tái)積電都在搶3nm工藝首發(fā)，之后還會(huì)有2nm工藝，再之后的1nm節(jié)點(diǎn)又是個(gè)分水嶺了，需要全新的半導(dǎo)體技術(shù)。
IBM、三星等公司上半年公布了全球首個(gè)2nm工藝芯片，現(xiàn)在雙方又在IEDM 2021會(huì)議上宣布了最新的合作成果，推出了VTFET（垂直傳輸場(chǎng)效應(yīng)晶體管）技術(shù)，它與傳統(tǒng)晶體管的電流水平方向傳輸不同，是垂直方向傳輸?shù)?，有望進(jìn)軍1nm及以下工藝。
根據(jù)IBM及三星的說(shuō)法，VTFET技術(shù)有2個(gè)優(yōu)點(diǎn)，一個(gè)是可以繞過(guò)現(xiàn)在技術(shù)的諸多性能限制，進(jìn)一步擴(kuò)展摩爾定律，另一個(gè)就是性能大幅提升，采用VTFET技術(shù)的芯片速度可提升兩倍，或者降低85%的功耗。
這個(gè)技術(shù)要是量產(chǎn)了，那么芯片的能效比是大幅提升的，智能手機(jī)充電一次可使用兩周，不過(guò)三星及IBM依然沒(méi)有公布VTFET工藝的量產(chǎn)時(shí)間，所以還是要等——反正革命性的電池及革命性的芯片技術(shù)實(shí)現(xiàn)一個(gè)就能讓手機(jī)續(xù)航質(zhì)變。
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