SLC、MLC、TLC、QLC、PLC……NAND閃存的發展大家應該都比較熟悉了，它們代表了每個單元能夠存儲的比特數據，密度越來越高，容量越來越大，當然可靠性、壽命越來越低。
SLC每單元1個比特(1bpc)，需要2檔電平；MLC每單元2個比特，需要4檔電平，容量增加100％；TLC每單元3個比特，需要8檔電平，容量增加33％……
以此類推，尚未商用的PLC每單元5個比特，需要32檔電平，而容量只有SLC的5倍。
現在，日本創業公司Floadia(富提亞科技)居然宣稱他們已經開發出了全新的每單元7個比特(7bpc)的閃存，按照規律需要多達128檔電平，容量則相當于SLC的10倍。
Floadia當然沒有延續NAND閃存的老路，而是開發了全新的非易失性SONOS單元，在硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)布局的基礎上，使用分布式電荷捕獲型結構，中間設置了一層氮化硅薄膜，可以牢牢捕獲電荷，從而長久維持數據穩定性，并且電壓編程擦寫循環非常簡單。
其中，氧化物-氮化物-氧化物(ONO)層使用了二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)材料，后者制造難度非常低。
官方號稱，在極低的電壓偏移下，這種閃存可以維持超過10萬次編程擦寫循環，即便是在150℃高溫下，也能持續保存數據長達10年之久，而現在主流閃存能堅持100秒就不錯了。
當然，也先別太激動，Floadia這種新閃存的目標市場(至少目前)主要是嵌入式市場，比如正在和東芝合作，利用40nm工藝進行制造，面向各種微控制器。
Floadia成立于2011年4月，創始人是來自日本瑞薩電子的7位工程師，都有近20年的從業經驗，公司已經經歷了三輪融資，其中C輪獲得12億日元(6700萬元人民幣)。
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