德州儀器今日宣布其位于得克薩斯州謝爾曼(Sherman)的全新 12 英寸半導體晶圓制造基地正式破土動工。德州儀器董事長、總裁及首席執(zhí)行官譚普頓(Rich Templeton)先生在動工儀式上慶祝該基地建設正式開始，并重申了德州儀器致力于擴大長期的自有制造能力的承諾。
此項目投資約 300 億美元，計劃建造四座工廠以滿足長期的市場需求。這些新工廠每天將制造數(shù)千萬顆模擬和嵌入式處理芯片，廣泛地應用于全球市場的各類電子產品領域。
據(jù)悉謝爾曼晶圓制造基地中的首座工廠預計于 2025 年開始投產。該晶圓制造基地將加入 TI 現(xiàn)有的 12 英寸晶圓制造廠陣營，包括德州達拉斯(Dallas)DMOS6;位于德州理查森(Richardson)的 RFAB1 和即將竣工并預計于 2022 年下半年開始投產的 RFAB2;以及位于猶他州李海(Lehi)預計于 2023 年初投產的 LFAB。譚普頓先生表示：“我們對長期產能的持續(xù)投資，將進一步提升公司的成本優(yōu)勢，并加強對供應鏈的控制能力。”
TI 在中國成都的生產制造基地集晶圓制造、封裝、測試、凸點加工和晶圓測試為一體，目前正在擴建第二座封裝 / 測試廠房。
