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DDR5內存去年隨著Intel 12代酷睿的發布而正式進入商用階段，今年AMD的銳龍7000也會加入支持，未來幾年里這會是新的內存主流，不過它的繼任者DDR6內存也在路上了，頻率可能會達到17GHz，預計2024年完成設計。
日前三星高管在一次會議上確認了他們研發的DDR6內存會用上MSAP封裝工藝，有助于提高PCB的高頻高速性能，不過SK海力士已經在DDR5內存上就使用過MSAP技術了。
這不是三星第一次提到DDR6內存，實際上去年底三星就公布了DDR6內存的路線圖，相比DDR5內存來說會進一步提升內存頻率、容量。
具體來說，三星之前提到DDR6會比DDR5頻率再次翻倍，達到了12.8GHz（或者12.8Gbps）,超頻頻率則可以達到17GHz，是DDR5的2倍、DDR4的4倍。
不過這顯然不是極限，實際上現在的DDR5內存頻率已經沖到了12.6GHz，DDR6未來的頻率上限超過20GHz也不是沒可能。
除了頻率之外，DDR6的內存容量也有大漲，每個內存條內的通道數翻倍到4通道，bank容量從16提升到64，這些都會數倍提升DDR6的內存容量，考慮到現在都可以制造出單條256GB的內存，未來單條1TB的DDR6內存不是夢。
按照三星的計劃，DDR6預計會在2024年完成設計，不過2025年之前是不可能見到產品的，未來普及的話可能更遠，畢竟DDR5現在也就是剛剛商用階段。
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話題標簽：三星內存DRAM內存顆粒
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