下半年存儲器價格將更快速下滑 影響范圍包括三大內存

摩根士丹利(大摩)證券示警，由于需求疲軟，將導致下半年存儲器價格更快速下滑，影響范圍包括三大內存。

三大內存為動態隨機存取存儲器(DRAM)、編碼型閃存(NOR Flash)、儲存型閃存(NAND Flash)。

報告指出，由于需求疲軟，加上廠商與客戶端的高庫存水位，內存供應鏈將面臨巨大的去庫存壓力，造成下半年價格將進一步下跌，且嚴重程度將大過市場預期。

對于中國臺廠，大摩認為，除了旺宏、華邦電、南亞科、力積電等劣于大盤外，連原先相對看好的群聯，評價轉至中立。雖然群聯在中國大陸的成長動能強勁，但由于高庫存及 NAND 價格環境惡化，NAND 景氣循環短期內不太可能快速復蘇。

報告指出，業界認為，SK 與三星已停止生產 1Gb 及 2Gb 內存，并且降低 DDR3 的生產。不過，由于 CMOS 圖像傳感器的市場展望趨于疲弱，三星正在將 CIS 的產能用來生產 DDR3，使特殊型 DRAM 供給情況更加不妙。長期來說，SK 及三星不會放棄消費 DRAM 市場，而是移轉到 DDR4 以著眼于 4Gb 產品。

關鍵詞： 摩根士丹利 編碼型閃存 儲存型閃存 隨機存取存儲器