東京理科大學(TUS)學者日前在納米壓印技術研究上取得突破，實現(xiàn)了紫外硬化納米壓印(UV-NIL)創(chuàng)建 10 納米以下分辨率形貌的突破。
UV-NIL 技術由于不需要高溫高壓條件，是一種備受矚目的納米壓印技術方向，具有低成本制備媲美光學光刻質量圖形的潛力，但此前受制于對光刻膠材料原子尺度特性的理解，難以實現(xiàn)小于 10 納米分辨率，而 TUS 學者 Tadashi Ando 帶領的團隊基于對分子動力學模擬，闡明了光刻膠分子成分與壓印過程的作用機制，發(fā)現(xiàn)并驗證了適用于 UV-NIL 工藝的光刻膠材料。
Ando 表示，該團隊研究成果可為未來選擇與設計優(yōu)化光刻膠材料提供指導，最終實現(xiàn) 10 納米以下分辨率 UV-NIL 工藝的實用化。
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